Wolfspeed

1,200 V Discrete Silicon Carbide MOSFETs

Wolfspeed 1,200 V discrete silicon carbide MOSFETs boost efficiency

Image of 1200 V Discrete Silicon Carbide MOSFETs Wolfspeed 1,200 V silicon carbide MOSFETs set the standard for performance, ruggedness, and ease of design-in. Extremely fast switching, ultra-low switching loss, and stable conduction loss over temperature assure significant improvement of system efficiency, power density, and overall BOM cost versus silicon MOSFET and IGBT incumbents. They are designed to optimize high-power applications such as uninterruptible power supplies (UPS), motor drives, switched-mode power supplies (SMPS), renewable energy, EV fast chargers, and more. 

Coupled with the 1,200 V SiC Schottky diodes, these MOSFETs create a powerful combination for higher efficiency in applications with strict requirements. Users can evaluate and optimize the high-speed dynamic switching performance of Wolfspeed SiC MOSFETs SpeedVal™ Kit Modular Evaluation Platform.

Features
  • Low RDS(ON) over temperature
  • Fast, rugged intrinsic silicon carbide body diode
  • High-temperature operation: TJ = +175°C
 
  • Available in package options with a separate Kelvin source pin
  • Reduction of heat-sink requirements
Applications
  • Energy storage
  • Solar inverters
  • EV on- and off-board chargers
 
  • UPS and motor drives
  • EV HVAC motor drives
  • Auxiliary power supplies

1,200 V Discrete Silicon Carbide MOSFETs

ObrázekObjednací číslo výrobcePopisTyp tranzistoru FETTechnologieNapětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)Available QuantityCenaZobrazit podrobnosti
SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3C3M0350120DSICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3N-kanálSiCFET (karbid křemíku)1200 V0 - Immediate$154.77Zobrazit podrobnosti
SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7C3M0075120JSICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7N-kanálSiCFET (karbid křemíku)1200 V3639 - Immediate$268.29Zobrazit podrobnosti
SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7C3M0075120J-TRSICFET N-CH 1200V 30A TO263-7N-kanálSiCFET (karbid křemíku)1200 V283 - Immediate$268.29Zobrazit podrobnosti
SICFET N-CH 1200V 30A TO247-3C3M0075120DSICFET N-CH 1200V 30A TO247-3N-kanálSiCFET (karbid křemíku)1200 V485 - Immediate$268.29Zobrazit podrobnosti
SICFET N-CH 1200V 30A TO247-4LC3M0075120KSICFET N-CH 1200V 30A TO247-4LN-kanálSiCFET (karbid křemíku)1200 V589 - Immediate$285.58Zobrazit podrobnosti
1200V 40MOHM SIC MOSFETC3M0040120K1200V 40MOHM SIC MOSFETN-kanálSiCFET (karbid křemíku)1200 V1745 - Immediate$425.14Zobrazit podrobnosti
1200V 40 M SIC MOSFETC3M0040120J11200V 40 M SIC MOSFETN-kanálSiCFET (karbid křemíku)1200 V201 - Immediate$355.57Zobrazit podrobnosti
1200V 40MOHM SIC MOSFETC3M0040120D1200V 40MOHM SIC MOSFETN-kanálSiCFET (karbid křemíku)1200 V589 - Immediate$355.57Zobrazit podrobnosti
1200V 32MOHM SIC MOSFETC3M0032120J11200V 32MOHM SIC MOSFETN-kanálSiCFET (karbid křemíku)1200 V364 - Immediate$462.63Zobrazit podrobnosti
SICFET N-CH 1200V 63A TO247-4LC3M0032120KSICFET N-CH 1200V 63A TO247-4LN-kanálSiCFET (karbid křemíku)1200 V31 - Immediate$462.63Zobrazit podrobnosti
SIC, MOSFET, 21M, 1200V, TO-247-E3M0021120KSIC, MOSFET, 21M, 1200V, TO-247-N-kanálSiCFET (karbid křemíku)1200 V643 - Immediate$589.70Zobrazit podrobnosti
SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4LC3M0021120KSICFET N-CH 1200V 100A TO247-4LN-kanálSiCFET (karbid křemíku)1200 V2755 - Immediate$749.26Zobrazit podrobnosti
SICFET N-CH 1200V 100A TO247-3C3M0021120DSICFET N-CH 1200V 100A TO247-3N-kanálSiCFET (karbid křemíku)1200 V400 - Immediate$589.70Zobrazit podrobnosti
SICFET N-CH 1200V 115A TO247-3C3M0016120DSICFET N-CH 1200V 115A TO247-3N-kanálSiCFET (karbid křemíku)1200 V798 - Immediate$1,114.82Zobrazit podrobnosti
SIC, MOSFET, 16M, 1200V, TO-247-E3M0016120KSIC, MOSFET, 16M, 1200V, TO-247-N-kanálSiCFET (karbid křemíku)1200 V646 - Immediate$1,138.98Zobrazit podrobnosti
SICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4C3M0016120KSICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4N-kanálSiCFET (karbid křemíku)1200 V227 - Immediate$1,114.82Zobrazit podrobnosti
SICFET N-CH 1200V 7.2A TO263-7C3M0350120JSICFET N-CH 1200V 7.2A TO263-7N-kanálSiCFET (karbid křemíku)1200 V595 - Immediate$154.77Zobrazit podrobnosti
SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7C3M0160120JSICFET N-CH 1200V 17A TO263-7N-kanálSiCFET (karbid křemíku)1200 V2004 - Immediate$189.14Zobrazit podrobnosti
MOSFET N-CH 1200V 69A TO247-4LC3M0032120K1MOSFET N-CH 1200V 69A TO247-4LN-kanálSiCFET (karbid křemíku)1200 V670 - Immediate$462.63Zobrazit podrobnosti
1200V AUTOMOTIVE SIC 75MOHM FETE3M0075120D1200V AUTOMOTIVE SIC 75MOHM FETN-kanálSiCFET (karbid křemíku)1200 V172 - Immediate$466.38Zobrazit podrobnosti
Published: 2025-01-17

Related Videos

The Power to Make it Real™ – Our Purpose
The Power to Make it Real™ – Our Purpose

Publish Date: 2024-11-07

Simulate Solar Energy Systems with SpeedFit™ Design Simulator
Simulate Solar Energy Systems with SpeedFit™ Design Simulator

Publish Date: 2024-08-07

Quickly Designing Industrial Motor Drives with SiC using SpeedFit™ Design Simulator
Quickly Designing Industrial Motor Drives with SiC using SpeedFit™ Design Simulator

Publish Date: 2024-08-07

Related Product Highlight

Silicon Carbide (SiC) Solutions for Servo Drives The Wolfspeed portfolio of SiC MOSFETs, Schottky diodes, and power modules enables greater flexibility when designing with silicon carbide in servo drives.
Silicon Carbide Solutions for Industrial Low Voltage Motor Drives The Wolfspeed broad portfolio of SiC MOSFETs and Schottky diodes offers flexibility when designing efficient low-voltage motor drive solutions.
Silicon Carbide Solutions for Heat Pumps and Air Conditioners Wolfspeed silicon carbide solutions enable more efficient heat pumps and air conditioners with minimal redesign.

Related Articles and Blogs

Polovodiče se širokým zakázaným pásmem přetvářejí svět dopravy Celý sektor dopravy prochází radikální transformací díky řešením pro elektrické a hybridní vozy a čistší hromadnou dopravu.
Polovodiče WBG v letectví a družicích WBG polovodiče přinášejí několik výhod při převodu energie, například zvýšenou hustotu výkonu a účinnost i snížení velikosti a hmotnosti systému.
No Hype Here: SiC MOSFETs Are Very Real Although overshadowed by consumer electronics hype, SiC-based MOSFETs are quietly impacting power-related subsystem performance.