Smart Watch Solution

Toshiba’s smart watch solutions get more performance in a smaller package

Image of Toshiba's Smart Watch Solution Designing power circuitry for smart watches and other wearables can be a challenge due to the expectations of today's consumer: more functionality, longer battery life, and smaller size. Toshiba's discrete components increase available board space and reduce passive current consumption to ensure long battery life. Toshiba offers tiny MOSFETs, diodes, and transistors in addition to feature-rich ICs such as LDO regulators, load switches, and the intelligent eFuse IC.

Power Supply Circuit Solutions

Wireless or contact charging presents design challenges with control and protection from the outside world, whether it is a short circuit condition or EMI.

Toshiba load switches or eFuse ICs can provide precise control in addition to overvoltage and overcurrent protection. These ICs are supported by various FETs and diodes.

Beyond the PMIC, there are requirements for LDOs and switches designed for rails leading to sensitive sensors, chipsets, and other modules. Performance is maximized by implementing low IQ load switches and LDOs which come in tiny wafer-level chip-scale packages.

Image of Toshiba's Power Supply Circuit Solutions Diagram

Interface Circuit Solutions

Another consideration is the interface side of any design. This involves the subsystem which manages sensor outputs and controls displays or wireless modules.

Sensors are becoming increasingly smaller and, as such, require ultra-low offset voltage and low noise op amps to help bring the recorded signal to a readable level. Toshiba offers op amps to address both of these requirements.

In addition, Toshiba offers high speed and high current ESD protection diodes to help manage unwelcome static shock, a concern when designing wearables and other handheld devices. This is achieved with minimal insertion loss, allowing for speeds up to 10 Gbps.

Image of Toshiba's Interface Circuit Solutions Diagram

Application Details Link:

https://toshiba.semicon-storage.com/us/semiconductor/application/smart-watch.html

Key Benefits

  • Wide portfolio of products
  • Reduces the need for board space with smaller packaging
  • Increases battery life by minimizing quiescent current (IQ)
  • Offers application notes and other material to help with design
  • Aids in new protection standards (IEC-62368-1) with eFuse

Supporting Components

MOSFETs

ObrázekObjednací číslo výrobcePopisNapětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)Rds zap (max) při Id, VgsVgs (max)Available QuantityCenaZobrazit podrobnosti
MOSFET P-CH 20V 250MA CST3CSSM3J35CTC,L3FMOSFET P-CH 20V 250MA CST3C20 V1,4Ohm při 150mA, 4,5V±10V4449 - Immediate$5.67Zobrazit podrobnosti
MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3SSM3J56ACT,L3FMOSFET P-CH 20V 1.4A CST320 V390mOhm při 800mA, 4,5V1.6 nC @ 4.5 V22139 - Immediate$8.61Zobrazit podrobnosti
MOSFET N-CH 20V 250MA CST3CSSM3K35CTC,L3FMOSFET N-CH 20V 250MA CST3C20 V1,1Ohm při 150mA, 4,5V0.34 nC @ 4.5 V80591 - Immediate$5.25Zobrazit podrobnosti
MOSFET N-CH 20V 1.4A CST3SSM3K56ACT,L3FMOSFET N-CH 20V 1.4A CST320 V235mOhm při 800mA, 4,5V1 nC @ 4.5 V26943 - Immediate$7.98Zobrazit podrobnosti

Load Switch IC

ObrázekObjednací číslo výrobcePopisRozhraníNapětí - zátěžNapájecí napětí (Vcc/Vdd)Available QuantityCenaZobrazit podrobnosti
IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 4WCSPDTCK106AG,LFIC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 4WCSPDZap./vyp.1,1V ~ 5,5VNevyžadovaný9562 - Immediate$6.09Zobrazit podrobnosti
IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 4WCSPDTCK107AG,LFIC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 4WCSPDZap./vyp.1,1V ~ 5,5VNevyžadovaný14664 - Immediate$6.09Zobrazit podrobnosti
IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 4WCSPDTCK108AG,LFIC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 4WCSPDZap./vyp.1,1V ~ 5,5VNevyžadovaný9159 - Immediate$6.09Zobrazit podrobnosti

eFuse IC

ObrázekObjednací číslo výrobcePopisProvozní teplotaZpůsob montážePouzdroAvailable QuantityCenaZobrazit podrobnosti
IC ELECTRONIC FUSE 10WSONTCKE805NA,RFIC ELECTRONIC FUSE 10WSON-40°C ~ 85°C (TA)Montáž na povrch10-WFDFN podložka pro odvod tepla2918 - Immediate$29.82Zobrazit podrobnosti
IC ELECTRONIC FUSE 10WSONTCKE805NL,RFIC ELECTRONIC FUSE 10WSON-40°C ~ 85°C (TA)Montáž na povrch10-WFDFN podložka pro odvod tepla2291 - Immediate$29.82Zobrazit podrobnosti

LDO Regulators

ObrázekObjednací číslo výrobcePopisPokles napětí (max)Klidový proud (Iq)Řídicí funkceAvailable QuantityCenaZobrazit podrobnosti
IC REG LIN 1.2V 300MA 4-WCSP-FTCR3UG12A,LFIC REG LIN 1.2V 300MA 4-WCSP-F0,857V při 300mA580 nAPovolit4282 - Immediate$5.88Zobrazit podrobnosti
IC REG LIN 1.8V 300MA 4-WCSP-FTCR3UG18A,LFIC REG LIN 1.8V 300MA 4-WCSP-F0,457V při 300mA680 nAPovolit9672 - Immediate$5.88Zobrazit podrobnosti
IC REG LIN 2.85V 300MA 4-WCSPFTCR3UG285A,LFIC REG LIN 2.85V 300MA 4-WCSPF0,327V při 300mA680 nAPovolit5000 - Immediate$5.88Zobrazit podrobnosti
IC REG LINEAR 3V 300MA 4-WCSP-FTCR3UG30A,LFIC REG LINEAR 3V 300MA 4-WCSP-F0,273V při 300mA680 nAPovolit6323 - Immediate$5.88Zobrazit podrobnosti
IC REG LIN 3.3V 300MA 4-WCSP-FTCR3UG33A,LFIC REG LIN 3.3V 300MA 4-WCSP-F0,273V při 300mA680 nAPovolit12678 - Immediate$5.88Zobrazit podrobnosti

FET Driver ICs

ObrázekObjednací číslo výrobcePopisTyp hradlaLogické napětí - VIL, VIHVýstupní špičkový proud (zdroj, aktivní zátěž)Available QuantityCenaZobrazit podrobnosti
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPETCK401G,LFIC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPE-0,4V, 1,6V-57385 - Immediate$10.92Zobrazit podrobnosti
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPETCK402G,LFIC GATE DRVR HIGH-SIDE 6WCSPE-0,4V, 1,6V-4591 - Immediate$10.92Zobrazit podrobnosti

ESD Diodes for Power Line Protection

ObrázekObjednací číslo výrobcePopisŠpičkový proudový impulz (10/1000µs)Špičkový impulzní výkonOchrana napájecího vedeníAvailable QuantityCenaZobrazit podrobnosti
TVS DIODE 5.5VWM 16VC SL2DF2B7BSL,L3FTVS DIODE 5.5VWM 16VC SL27,3A (8/20µs)115WNe4 - Immediate$3.78Zobrazit podrobnosti
TVS DIODE 12.6VWM CST2CDF2S14P2CTC,L3FTVS DIODE 12.6VWM CST2C50A-Ne21112 - Immediate$6.30Zobrazit podrobnosti

Schottky Barrier Diodes

ObrázekObjednací číslo výrobcePopisRychlostZbytkový proud v závěrném směru při VrKapacita při Vr, FAvailable QuantityCenaZobrazit podrobnosti
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA CST2CTS520,L3FDIODE SCHOTTKY 30V 200MA CST2Malý Signál =< 200mA (Io), Libovolná rychlost5 µA @ 30 V16pF při 0V, 1MHz36998 - Immediate$3.78Zobrazit podrobnosti
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA CST2CTS521,L3FDIODE SCHOTTKY 30V 200MA CST2Malý Signál =< 200mA (Io), Libovolná rychlost30 µA @ 30 V25pF při 0V, 1MHz55595 - Immediate$2.52Zobrazit podrobnosti
DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SL2DSF01S30SL,L3FDIODE SCHOTTKY 30V 100MA SL2Malý Signál =< 200mA (Io), Libovolná rychlost50 µA @ 30 V9,02pF při 2V, 1MHz12441 - Immediate$5.67Zobrazit podrobnosti
DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SL2DSR01S30SL,L3FDIODE SCHOTTKY 30V 100MA SL2Malý Signál =< 200mA (Io), Libovolná rychlost700 nA @ 30 V8,2pF při 0V, 1MHz25141 - Immediate$4.62Zobrazit podrobnosti

High Speed ESD Diodes

ObrázekObjednací číslo výrobcePopisŠpičkový proudový impulz (10/1000µs)Špičkový impulzní výkonOchrana napájecího vedeníAvailable QuantityCenaZobrazit podrobnosti
TVS DIODE 3.6VWM 15VC SL2DF2B5M4ASL,L3FTVS DIODE 3.6VWM 15VC SL22A (8/20µs)30WNe14955 - Immediate$4.83Zobrazit podrobnosti
TVS DIODE 5.5VWM 15VC SL2DF2B6M4ASL,L3FTVS DIODE 5.5VWM 15VC SL22A (8/20µs)30WNe5811 - Immediate$4.62Zobrazit podrobnosti
TVS DIODE 24VWM 31.5VC SL2DF2B26M4SL,L3FTVS DIODE 24VWM 31.5VC SL2500mA (8/20µs)19WNe23838 - Immediate$3.57Zobrazit podrobnosti
TVS DIODE 3.3VWM 25VC SL2DF2B5M5SL,L3FTVS DIODE 3.3VWM 25VC SL22,5A (8/20µs)37WNe0 - Immediate$6.93Zobrazit podrobnosti
TVS DIODE 5VWM 26.5VC SL2DF2B6M5SL,L3FTVS DIODE 5VWM 26.5VC SL22,5A (8/20µs)37WNe86 - Immediate$5.88Zobrazit podrobnosti

Operational Amplifiers

ObrázekObjednací číslo výrobcePopisTyp výstupuRychlost přeběhuVstupní klidový proudAvailable QuantityCenaZobrazit podrobnosti
IC CMOS 1 CIRCUIT UFVTC75S67TU,LFIC CMOS 1 CIRCUIT UFV-1V/µs1 pA15917 - Immediate$5.88Zobrazit podrobnosti
Published: 2020-05-27