Name: VS-3C10ET12S2L-M3
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: 112-VS-3C10ET12S2L-M3TR-ND
Price: 143.9174 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

VS-3C10ET12S2L-M3
Číslo produktu DigiKey	112-VS-3C10ET12S2L-M3TR-ND - Páska a cívka (TR) 112-VS-3C10ET12S2L-M3CT-ND - Řezaná páska (CT) 112-VS-3C10ET12S2L-M3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Číslo produktu výrobce	VS-3C10ET12S2L-M3
Popis	DIODE SIL CARB 1200V 10A TO263AB
Standardní dodací lhůta výrobce	14 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Dioda 1200 V 10A Montáž na povrch TO-263AB (D2PAK)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Diody Usměrňovače Jednoduché diody
Mfr	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Stejnosměrné závěrné napětí (Vr) (max)	1200 V
Střední hodnota usměrněného proudu (Io)	10A
Napětí v propustném směru (Vf) (max) při If	1.5 V @ 10 A
Rychlost	Nulová doba obnovy > 500mA (Io)
Doba zpětného zotavení (trr)	0 ns
Zbytkový proud v závěrném směru při Vr	60 µA @ 1200 V
Kapacita při Vr, F	38pF při 800V, 1MHz
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Dodávaná velikost pouzdra	TO-263AB (D2PAK)
Provozní teplota - přechod	-55°C ~ 175°C