Name: TK3P80E,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK3P80E,RQTR-ND
Price: 50.4691 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TK3P80E,RQ
Číslo produktu DigiKey	264-TK3P80E,RQTR-ND - Páska a cívka (TR) 264-TK3P80E,RQCT-ND - Řezaná páska (CT) 264-TK3P80E,RQDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TK3P80E,RQ
Popis	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 800 V 3A (Ta) 80W (Tc) Montáž na povrch DPAK
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 300µA
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 12 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±30V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 500 pF @ 25 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 80W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota 150°C
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 800 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 3A (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra DPAK
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Rds zap (max) při Id, Vgs 4,9Ohm při 1,5A, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 897

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)