Name: TK3P80E,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK3P80E,RQTR-ND
Price: 50.4328 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TK3P80E,RQ
Číslo produktu DigiKey	264-TK3P80E,RQTR-ND - Páska a cívka (TR) 264-TK3P80E,RQCT-ND - Řezaná páska (CT) 264-TK3P80E,RQDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TK3P80E,RQ
Popis	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 800 V 3A (Ta) 80W (Tc) Montáž na povrch DPAK
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	800 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	3A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	4,9Ohm při 1,5A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 300µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	500 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	80W (Tc)
Provozní teplota	150°C
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	DPAK
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63