Name: STH200N10WF7-2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STH200N10WF7-2TR-ND
Price: 166.3508 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

STH200N10WF7-2
Číslo produktu DigiKey	497-STH200N10WF7-2TR-ND - Páska a cívka (TR) 497-STH200N10WF7-2CT-ND - Řezaná páska (CT) 497-STH200N10WF7-2DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	STMicroelectronics
Číslo produktu výrobce	STH200N10WF7-2
Popis	MOSTFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 180A (Tc) 340W (Tc) Montáž na povrch H2PAK-2
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	STMicroelectronics
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	180A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	4mOhm při 90A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	93 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	4430 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	340W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	H2PAK-2
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB