N-kanál, režim vybíjení 200 V 660mA (Ta) 1,8W (Ta) Montáž na povrch PG-SOT223-4-21
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSP149L6327

Číslo produktu DigiKey
2156-BSP149L6327-ND
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
BSP149L6327
Popis
N-CHANNEL POWER MOSFET
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál, režim vybíjení 200 V 660mA (Ta) 1,8W (Ta) Montáž na povrch PG-SOT223-4-21
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
SIPMOS®
Balení
Hromadné balení
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál, režim vybíjení
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
660mA (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
0V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
1,8Ohm při 660mA, 10V
Vgs(th) (max) při Id
1V při 400µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
14 nC @ 5 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
430 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
1,8W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-SOT223-4-21
Pouzdro
TO-261-4, TO-261AA
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 1 910
Nezrušitelné/nevratné
PRODUKT SLUŽBY MARKETPLACE
Expedice proběhne přibližně za 10 dní od Rochester Electronics LLC
Bude použit samostatný poplatek za dopravu 1 910,82 Kč s paušální sazbou
Z důvodů podpory potřeb výzkumu a vývoje všech zákazníků jsme na tento produkt zavedli nákupní limit.
V tomto limitu lze nakupovat každých 30 dní a jakékoli množství nad tento limit bude mít za následek zpětnou objednávku nebo stornování produktu.
MAXIMÁLNÍ NÁKUPNÍ LIMIT
Hromadné balení:1910
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Hromadné balení
Množství Jednotková cena Celk. cena
54511,54890 Kč6 294,15 Kč
Jednotková cena bez DPH:11,54890 Kč
Jednotková cena s DPH:13,97417 Kč
Může vás též zajímat
1 Položky
BSP149H6327XTSA1

BSP149H6327XTSA1

MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4

Infineon Technologies

35,28000 Kč