TP65H070G4LSGB-TR
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TP65H070G4LSGB-TR

Číslo produktu DigiKey
1707-TP65H070G4LSGB-TR-ND - Páska a cívka (TR)
1707-TP65H070G4LSGB-TRCT-ND - Řezaná páska (CT)
1707-TP65H070G4LSGB-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Renesas Electronics Corporation
Číslo produktu výrobce
TP65H070G4LSGB-TR
Popis
GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
Standardní dodací lhůta výrobce
16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 29A (Tc) 96W (Tc) Montáž na povrch 8-PQFN (8x8)
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Řada
SuperGaN®
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
GaNFET (Galium nitrid)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
29A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
85mOhm při 16A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4,6V při 700µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
8.4 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
600 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
96W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
8-PQFN (8x8)
Pouzdro
8-PowerTDFN
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 2 453
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
1245,02000 Kč245,02 Kč
10170,04200 Kč1 700,42 Kč
100144,60720 Kč14 460,72 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
3 000118,14313 Kč354 429,39 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:245,02000 Kč
Jednotková cena s DPH:296,47420 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
10 Položky
TP65H070G4QS-TR

TP65H070G4QS-TR

650 V 29 A GAN FET

Renesas Electronics Corporation

206,08000 Kč
TP65H150BG4JSG-TR

TP65H150BG4JSG-TR

GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6

Renesas Electronics Corporation

106,09000 Kč
TP65H070G4LSG-TR

TP65H070G4LSG-TR

GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8

Renesas Electronics Corporation

224,18000 Kč
TP65H015G5WS

TP65H015G5WS

650 V 95 A GAN FET

Renesas Electronics Corporation

678,86000 Kč
WI71060TR

WI71060TR

POWER GAN IC DISCRETE 8X8 PDFN

Wise-Integration

126,09000 Kč
CDFG6558N TR13 PBFREE

CDFG6558N TR13 PBFREE

GANFET N-CH 650V 29A 8DFN

Central Semiconductor Corp

229,02000 Kč
CGD65A055SH2

CGD65A055SH2

650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W

Cambridge GaN Devices

265,23000 Kč
TP65H070G4PS

TP65H070G4PS

GANFET N-CH 650V 29A TO220

Renesas Electronics Corporation

206,92000 Kč
TP65H050G4BS

TP65H050G4BS

650 V 34 A GAN FET

Renesas Electronics Corporation

302,70000 Kč
IGLD65R080D2AUMA1

IGLD65R080D2AUMA1

HV GAN DISCRETES

Infineon Technologies

119,56000 Kč