N-kanál 150 V 21A (Ta), 165A (Tc) 5W (Ta), 292W (Tc) Montáž na povrch 8-DFNW (8,3x8,4)
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 150 V 21A (Ta), 165A (Tc) 5W (Ta), 292W (Tc) Montáž na povrch 8-DFNW (8,3x8,4)
8-TDFN

NVMTS4D3N15MC

Číslo produktu DigiKey
488-NVMTS4D3N15MCTR-ND - Páska a cívka (TR)
488-NVMTS4D3N15MCCT-ND - Řezaná páska (CT)
488-NVMTS4D3N15MCDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
onsemi
Číslo produktu výrobce
NVMTS4D3N15MC
Popis
SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 00
Standardní dodací lhůta výrobce
45 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 150 V 21A (Ta), 165A (Tc) 5W (Ta), 292W (Tc) Montáž na povrch 8-DFNW (8,3x8,4)
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
onsemi
Řada
-
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
150 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
21A (Ta), 165A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
4,45mOhm při 95A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4,5V při 521µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
79 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
6514 pF @ 75 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
5W (Ta), 292W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automobilový průmysl
Kvalifikace
AEC-Q101
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
8-DFNW (8,3x8,4)
Pouzdro
8-PowerTDFN
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 3 263
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
1156,04000 Kč156,04 Kč
10105,81900 Kč1 058,19 Kč
10080,49580 Kč8 049,58 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
3 00065,76500 Kč197 295,00 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:156,04000 Kč
Jednotková cena s DPH:188,80840 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
10 Položky
NVMFWS2D1N08XT1G

NVMFWS2D1N08XT1G

T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE

onsemi

70,01000 Kč
V3P6L-M3/H

V3P6L-M3/H

DIODE SCHOTTKY 60V 2.3A DO220AA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

16,84000 Kč
PA0806NL

PA0806NL

XFMR DC/DC CONV SMD

Pulse Electronics

214,14000 Kč
NTBLS0D8N08XTXG

NTBLS0D8N08XTXG

MOSFET, POWER 80V SINGLE N-CHANN

onsemi

147,42000 Kč
ISZ330N12LM6ATMA1

ISZ330N12LM6ATMA1

OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V

Infineon Technologies

37,78000 Kč
DMTH10H009LFGQ-7

DMTH10H009LFGQ-7

MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33

Diodes Incorporated

10,96444 Kč
24FC16H-E/SN

24FC16H-E/SN

IC EEPROM 16KBIT I2C 8SOIC

Microchip Technology

6,77539 Kč
NVMTSC1D3N08M7TXG

NVMTSC1D3N08M7TXG

MOSFET N-CH 80V 46A/348A 8DFNW

onsemi

133,04000 Kč
ISC007N04NM6ATMA1

ISC007N04NM6ATMA1

TRENCH <= 40V

Infineon Technologies

74,73000 Kč
CSD18543Q3AT

CSD18543Q3AT

MOSFET N-CH 60V 12A/60A 8VSON

Texas Instruments

43,94000 Kč