Name: NVMFWS1D9N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NVMFWS1D9N08XT1GTR-ND
Price: 95.2633 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NVMFWS1D9N08XT1G
Číslo produktu DigiKey	488-NVMFWS1D9N08XT1GTR-ND - Páska a cívka (TR) 488-NVMFWS1D9N08XT1GCT-ND - Řezaná páska (CT) 488-NVMFWS1D9N08XT1GDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NVMFWS1D9N08XT1G
Popis	T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE
Standardní dodací lhůta výrobce	23 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 201A (Tc) 164W (Tc) Montáž na povrch, Smáčitelný bok 5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	80 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	201A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,9mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,6V při 252µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	63 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	4470 pF @ 40 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	164W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch, Smáčitelný bok
Dodávaná velikost pouzdra	5-DFNW (4,9x5,9) (8-SOFL-WF)
Pouzdro	8-PowerTDFN, 5 přívodů
Základní číslo produktu	NVMFWS