ISL9N303AS3ST je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 51,94000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 5
Jednotková cena : 45,37000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 636
Jednotková cena : 62,42000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 64
Jednotková cena : 91,98000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 47,43000 Kč
Katalogový list
N-kanál 30 V 75A (Tc) 215W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 30 V 75A (Tc) 215W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
TO-263

ISL9N303AS3ST

Číslo produktu DigiKey
ISL9N303AS3ST-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
ISL9N303AS3ST
Popis
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 30 V 75A (Tc) 215W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
3,2mOhm při 75A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
172 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
7000 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
215W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
TO-263 (D2PAK)
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.
Nezrušitelné/nevratné