FQD5N50CTM-WS je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


onsemi
Skladem : 2 028
Jednotková cena : 27,70000 Kč
Katalogový list

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 5,16492 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 1 748
Jednotková cena : 21,66000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 109 975
Jednotková cena : 12,08000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 34,79000 Kč
Katalogový list

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 1 710
Jednotková cena : 45,83000 Kč
Katalogový list
TO-252 DPAK
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
TO-252 DPAK
TO-252 DPAK

FQD5N50CTM-WS

Číslo produktu DigiKey
FQD5N50CTM-WS-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
FQD5N50CTM-WS
Popis
MOSFET N-CHANNEL 500V 4A TO252
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 500 V 4A (Tc) 2,5W (Ta) Montáž na povrch TO-252 (DPAK)
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
FQD5N50CTM-WS Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
-
Balení
Páska a cívka (TR)
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
500 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
1,4Ohm při 2A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
625 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
2,5W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
TO-252 (DPAK)
Pouzdro
Základní číslo produktu
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.
Nezrušitelné/nevratné