FDS6575 onsemi | Diskrétní polovodičové produkty

FDS6575 je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Similar

Diodes Incorporated

Skladem : 0

Jednotková cena : 23,58000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDS6575
Číslo produktu DigiKey	FDS6575TR-ND - Páska a cívka (TR) FDS6575CT-ND - Řezaná páska (CT) FDS6575DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDS6575
Popis	MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 20 V 10A (Ta) 2,5W (Ta) Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	FDS6575 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	PowerTrench®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	10A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	2,5V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	13mOhm při 10A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	74 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	4951 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,5W (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-SOIC
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Základní číslo produktu	FDS65