FDD5N50TM-WS je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


onsemi
Skladem : 2 500
Jednotková cena : 6,71000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 958
Jednotková cena : 11,36000 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 0
Jednotková cena : 3,32375 Kč
Katalogový list

Similar


Vishay Siliconix
Skladem : 1 748
Jednotková cena : 11,36000 Kč
Katalogový list

Similar


Renesas Electronics Corporation
Skladem : 0
Jednotková cena : 3,30961 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 7,96000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 3 309
Jednotková cena : 7,32000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 2 731
Jednotková cena : 8,56000 Kč
Katalogový list

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 3 859
Jednotková cena : 9,25000 Kč
Katalogový list

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 1 699
Jednotková cena : 9,47000 Kč
Katalogový list

Similar


Taiwan Semiconductor Corporation
Skladem : 36
Jednotková cena : 6,46000 Kč
N-kanál 500 V 4A (Tc) 40W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 500 V 4A (Tc) 40W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
TO-252AA

FDD5N50TM-WS

Číslo produktu DigiKey
FDD5N50TM-WSTR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
FDD5N50TM-WS
Popis
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 500 V 4A (Tc) 40W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
FDD5N50TM-WS Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
500 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
1,4Ohm při 2A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
640 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
40W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
TO-252AA
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.