FDC642P-F085 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Direct

SI3443DDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
Skladem : 19 683
Jednotková cena : 10,06000 Kč
Katalogový list

Similar

PMV48XPAR
Nexperia USA Inc.
Skladem : 0
Jednotková cena : 13,96000 Kč
Katalogový list
Zobrazit a porovnat všechny náhrady
P-kanál 20 V 4A (Ta) 1,2W (Ta) Montáž na povrch SuperSOT™-6
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDC642P-F085

Číslo produktu DigiKey
FDC642P-F085TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
onsemi
Číslo produktu výrobce
FDC642P-F085
Popis
MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
P-kanál 20 V 4A (Ta) 1,2W (Ta) Montáž na povrch SuperSOT™-6
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
FDC642P-F085 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
onsemi
Řada
PowerTrench®
Balení
Páska a cívka (TR)
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
P-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
20 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
4A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
2,5V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs
65mOhm při 4A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id
1,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
16 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
640 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
1,2W (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
Automobilový průmysl
Kvalifikace
AEC-Q101
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
SuperSOT™-6
Pouzdro
SOT-23-6 tenký, TSOT-23-6
Základní číslo produktu
FDC642
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.
Nezrušitelné/nevratné