N-kanál, režim vybíjení 1000 V 1,6A (Tj) 100W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál, režim vybíjení 1000 V 1,6A (Tj) 100W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
TO-252AA

IXTY1R6N100D2-TRL

Číslo produktu DigiKey
238-IXTY1R6N100D2-TRLTR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
IXYS
Číslo produktu výrobce
IXTY1R6N100D2-TRL
Popis
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252
Standardní dodací lhůta výrobce
32 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál, režim vybíjení 1000 V 1,6A (Tj) 100W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
IXYS
Řada
Depletion
Balení
Páska a cívka (TR)
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál, režim vybíjení
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1000 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
1,6A (Tj)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
0V
Rds zap (max) při Id, Vgs
10Ohm při 800mA, 0V
Vgs(th) (max) při Id
4,5V při 100µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
27 nC @ 5 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
645 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
100W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
TO-252AA
Pouzdro
TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu
IXTY1
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

K dispozici pro objednání
Zkontrolovat dodací lhůtu
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
2 50033,93348 Kč84 833,70 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:33,93348 Kč
Jednotková cena s DPH:41,05951 Kč
Může vás též zajímat
1 Položky
IXTY1R6N100D2

IXTY1R6N100D2

MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252

IXYS

95,06000 Kč