N-kanál, režim vybíjení 500 V 800mA (Tc) 60W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál, režim vybíjení 500 V 800mA (Tc) 60W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
TO-252AA

IXTY08N50D2

Číslo produktu DigiKey
IXTY08N50D2-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IXTY08N50D2
Popis
MOSFET N-CH 500V 800MA TO252
Standardní dodací lhůta výrobce
32 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál, režim vybíjení 500 V 800mA (Tc) 60W (Tc) Montáž na povrch TO-252AA
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
500 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
-
Rds zap (max) při Id, Vgs
4,6Ohm při 400mA, 0V
Vgs(th) (max) při Id
-
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
12.7 nC @ 5 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
312 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
60W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
TO-252AA
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 2 370
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
175,35000 Kč75,35 Kč
7036,27043 Kč2 538,93 Kč
14032,94721 Kč4 612,61 Kč
56027,79891 Kč15 567,39 Kč
1 05025,99170 Kč27 291,28 Kč
2 03024,76099 Kč50 264,81 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:75,35000 Kč
Jednotková cena s DPH:91,17350 Kč