Name: SPD06N80C3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPD06N80C3ATMA1TR-ND
Price: 59.7377 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

SPD06N80C3ATMA1
Číslo produktu DigiKey	SPD06N80C3ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) SPD06N80C3ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) SPD06N80C3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	SPD06N80C3ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 800 V 6A (Ta) 83W (Tc) Montáž na povrch PG-TO252-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SPD06N80C3ATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	800 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	6A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	900mOhm při 3,8A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,9V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	41 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	785 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	83W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO252-3
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	SPD06N80

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
2 500	14,47310 Kč	36 182,75 Kč
5 000	13,94235 Kč	69 711,75 Kč

Jednotková cena bez DPH:	49,37000 Kč
Jednotková cena s DPH:	59,73770 Kč

SPD06N80C3ATMA1