Name: ISZ810P06LMATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISZ810P06LMATMA1TR-ND
Price: 36.0459 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

ISZ810P06LMATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-ISZ810P06LMATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-ISZ810P06LMATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-ISZ810P06LMATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	ISZ810P06LMATMA1
Popis	TRENCH 40<-<100V
Standardní dodací lhůta výrobce	14 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 60 V 19,5A (Tc) 83W (Tc) Montáž na povrch PG-TSDSON-8-26
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	ISZ810P06LMATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	19,5A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	81mOhm při 16A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 724µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	42.8 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1400 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	83W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TSDSON-8-26
Pouzdro	8-PowerTDFN

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Skladem: 2 577

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®