N-kanál 100 V 22A (Ta), 150A (Tc) 2,5W (Ta), 125W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-7
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

ISC0802NLSATMA1

Číslo produktu DigiKey
448-ISC0802NLSATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
448-ISC0802NLSATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
448-ISC0802NLSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
ISC0802NLSATMA1
Popis
MOSFET N-CH 100V 22A/150A TDSON
Standardní dodací lhůta výrobce
17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 100 V 22A (Ta), 150A (Tc) 2,5W (Ta), 125W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-7
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
ISC0802NLSATMA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
OptiMOS™ 5
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
22A (Ta), 150A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
3,6mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
2,3V při 92µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
73 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
5190 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
2,5W (Ta), 125W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TDSON-8-7
Pouzdro
8-PowerTDFN
Základní číslo produktu
ISC0802N
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 14 090
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
148,25000 Kč48,25 Kč
1030,83800 Kč308,38 Kč
10020,89900 Kč2 089,90 Kč
50016,64652 Kč8 323,26 Kč
1 00015,27893 Kč15 278,93 Kč
2 00014,43118 Kč28 862,36 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
5 00011,79021 Kč58 951,05 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:48,25000 Kč
Jednotková cena s DPH:58,38250 Kč
Přidružený produktZobrazit vše
7 Položky
1EDN7512BXTSA1

1EDN7512BXTSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5

Infineon Technologies

13,35000 Kč
IRS10752LTRPBF

IRS10752LTRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

15,60000 Kč
IRS4427STRPBF

IRS4427STRPBF

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

24,23000 Kč
2EDL23N06PJXUMA1

2EDL23N06PJXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DSO

Infineon Technologies

47,84000 Kč
1ED44173N01BXTSA1

1ED44173N01BXTSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

17,04000 Kč
2ED2110S06MXUMA1

2ED2110S06MXUMA1

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC

Infineon Technologies

59,75000 Kč
IRS21271STRPBF

IRS21271STRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

20,33000 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
7 Položky
BSC070N10LS5ATMA1

BSC070N10LS5ATMA1

MOSFET N-CH 100V 14A/79A TDSON

Infineon Technologies

28,95000 Kč
ACT1210D-101-2P-TL00

ACT1210D-101-2P-TL00

CMC 100UH 115MA 2LN SMD AEC-Q200

TDK

28,95000 Kč
BSC034N10LS5ATMA1

BSC034N10LS5ATMA1

MOSFET N-CH 100V 19A/100A TDSON

Infineon Technologies

50,30000 Kč
IR2181STRPBF

IR2181STRPBF

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon Technologies

50,51000 Kč
ISC0805NLSATMA1

ISC0805NLSATMA1

MOSFET N-CH 100V 13A/71A TDSON

Infineon Technologies

35,52000 Kč
BSC040N10NS5ATMA1

BSC040N10NS5ATMA1

MOSFET N-CH 100V 100A TDSON

Infineon Technologies

61,18000 Kč
DMT10H009LPS-13

DMT10H009LPS-13

MOSFET N-CH 100V PWRDI5060

Diodes Incorporated

30,18000 Kč