Name: IRFH6200TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH6200TRPBFTR-ND
Price: 58.9754 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

IRFH6200TRPBF
Číslo produktu DigiKey	IRFH6200TRPBFTR-ND - Páska a cívka (TR) IRFH6200TRPBFCT-ND - Řezaná páska (CT) IRFH6200TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IRFH6200TRPBF
Popis	MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN
Standardní dodací lhůta výrobce	13 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 20 V 49A (Ta), 100A (Tc) 3,6W (Ta), 156W (Tc) Montáž na povrch 8-PQFN (5x6)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IRFH6200TRPBF Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	HEXFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	49A (Ta), 100A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	2,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	0,95mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	1,1V při 150µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	230 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	10890 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,6W (Ta), 156W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-PQFN (5x6)
Pouzdro	8-PowerVDFN
Základní číslo produktu	IRFH6200

Jednotková cena bez DPH:	48,74000 Kč
Jednotková cena s DPH:	58,97540 Kč

IRFH6200TRPBF