Name: IPN95R2K0P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN95R2K0P7ATMA1TR-ND
Price: 30.25 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

IPN95R2K0P7ATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPN95R2K0P7ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPN95R2K0P7ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPN95R2K0P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPN95R2K0P7ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 950V 4A SOT223
Standardní dodací lhůta výrobce	17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 950 V 4A (Tc) 7W (Tc) Montáž na povrch PG-SOT223
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPN95R2K0P7ATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™ P7
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	950 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	4A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	2Ohm při 1,7A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 80µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	10 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	330 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	7W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-SOT223
Pouzdro	TO-261-4, TO-261AA
Základní číslo produktu	IPN95R2

Jednotková cena bez DPH:	25,00000 Kč
Jednotková cena s DPH:	30,25000 Kč

IPN95R2K0P7ATMA1