Name: GS61008TMRXUSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-GS61008TMRXUSA1TR-ND
Price: 238.9145 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

GS61008TMRXUSA1
Číslo produktu DigiKey	448-GS61008TMRXUSA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-GS61008TMRXUSA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-GS61008TMRXUSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	GS61008TMRXUSA1
Popis	GS61008T-MR
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 90A (Tc) Montáž na povrch
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Datum posledního nákupu
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	GaNFET (Galium nitrid)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	90A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V
Rds zap (max) při Id, Vgs	9,5mOhm při 27A, 6V
Vgs(th) (max) při Id	1,3V při 7mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	12 nC @ 6 V
Vgs (max)	+7V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	590 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	-
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	-
Pouzdro	4-SMD, Bez přívodů

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
250	91,09852 Kč	22 774,63 Kč
500	89,01540 Kč	44 507,70 Kč

Jednotková cena bez DPH:	197,45000 Kč
Jednotková cena s DPH:	238,91450 Kč

GS61008TMRXUSA1