BSC159N10LSFGATMA1 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


Infineon Technologies
Skladem : 5 950
Jednotková cena : 21,66000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 3 381
Jednotková cena : 45,83000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 9 556
Jednotková cena : 61,45000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 6 108
Jednotková cena : 64,99000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 13 371
Jednotková cena : 14,16000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 402
Jednotková cena : 23,12000 Kč
Katalogový list
PG-TDSON-8-1
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSC159N10LSFGATMA1

Číslo produktu DigiKey
BSC159N10LSFGATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
BSC159N10LSFGATMA1
Popis
MOSFET N-CH 100V 9.4A/63A TDSON
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 100 V 9,4A (Ta), 63A (Tc) 114W (Tc) Montáž na povrch PG-TDSON-8-1
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
BSC159N10LSFGATMA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
15,9mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
2,4V při 72µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2500 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
114W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TDSON-8-1
Pouzdro
Základní číslo produktu
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.