


G2R120MT33J | |
---|---|
Číslo produktu DigiKey | 1242-G2R120MT33J-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | G2R120MT33J |
Popis | SIC MOSFET N-CH TO263-7 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 20 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 3300 V 35A Montáž na povrch TO-263-7 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | G2R120MT33J Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Trubice | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 3300 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 20V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 156mOhm při 20A, 20V | |
Vgs(th) (max) při Id | - | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 145 nC @ 20 V | |
Vgs (max) | +25V, -10V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 3706 pF @ 1000 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | - | |
Provozní teplota | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | TO-263-7 | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
250 | 1 915,13604 Kč | 478 784,01 Kč |
Jednotková cena bez DPH: | 1 915,13604 Kč |
---|---|
Jednotková cena s DPH: | 2 317,31461 Kč |