


G2R1000MT33J | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 1242-G2R1000MT33J-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | G2R1000MT33J |
Popis | SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 20 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 3300 V 4A (Tc) 74W (Tc) Montáž na povrch TO-263-7 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | G2R1000MT33J Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Trubice | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 3300 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 20V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 1,2Ohm při 2A, 20V | |
Vgs(th) (max) při Id | 3,5V při 2mA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 21 nC @ 20 V | |
Vgs (max) | +20V, -5V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 238 pF @ 1000 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 74W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | TO-263-7 | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 393,42000 Kč | 393,42 Kč |
| 10 | 355,74500 Kč | 3 557,45 Kč |
| 25 | 341,64160 Kč | 8 541,04 Kč |
| 100 | 321,43560 Kč | 32 143,56 Kč |
| 250 | 308,80436 Kč | 77 201,09 Kč |
| 500 | 299,54234 Kč | 149 771,17 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 393,42000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 476,03820 Kč |









