GPI65010DF56 GaNPower | Diskrétní polovodičové produkty

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

GPI65010DF56
Číslo produktu DigiKey	4025-GPI65010DF56TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce	GaNPower
Číslo produktu výrobce	GPI65010DF56
Popis	GANFET N-CH 650V 10A DFN 5X6
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 10A Montáž na povrch Razidlo
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	GaNPower
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR)
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	GaNFET (Galium nitrid)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	10A
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V
Vgs(th) (max) při Id	1,4V při 3,5mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	2.6 nC @ 6 V
Vgs (max)	+7,5V, -12V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	90 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	-
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	Razidlo
Pouzdro	Razidlo