Name: DMTH8012LPSQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMTH8012LPSQ-13DITR-ND
Price: 36.1669 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMTH8012LPSQ-13
Číslo produktu DigiKey	DMTH8012LPSQ-13DITR-ND - Páska a cívka (TR) DMTH8012LPSQ-13DICT-ND - Řezaná páska (CT) DMTH8012LPSQ-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMTH8012LPSQ-13
Popis	MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 10A (Ta), 72A (Tc) 2,6W (Ta), 136W (Tc) Montáž na povrch PowerDI5060-8
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	80 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	10A (Ta), 72A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	17mOhm při 12A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	46.8 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2051 pF @ 40 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,6W (Ta), 136W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerDI5060-8
Pouzdro	8-PowerTDFN
Základní číslo produktu	DMTH8012