Name: SQJB60EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJB60EP-T1_GE3TR-ND
Price: 47.1174 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SQJB60EP-T1_GE3
Číslo produktu DigiKey	SQJB60EP-T1_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQJB60EP-T1_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQJB60EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQJB60EP-T1_GE3
Popis	MOSFET 2N-CH 60V 30A PPAK SO8
Standardní dodací lhůta výrobce	32 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 60V 30A (Tc) 48W Montáž na povrch PowerPAK® SO-8 duální
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	30A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	12mOhm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	30nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1600pF při 25V
Výkon - max	48W
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	PowerPAK® SO-8 duální
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8 duální
Základní číslo produktu	SQJB60