Name: DMTH45M5LPDWQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH45M5LPDWQ-13TR-ND
Price: 48.9082 CZK
Availability: OutOfStock

DMTH45M5LPDWQ-13 není skladem a lze jej zařadit do zpětné objednávky.

Dostupné náhrady:

Parametrický ekvivalent

Diodes Incorporated

Skladem : 1 106

Jednotková cena : 1,58000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

DMTH45M5LPDWQ-13
Číslo produktu DigiKey	31-DMTH45M5LPDWQ-13TR-ND - Páska a cívka (TR) 31-DMTH45M5LPDWQ-13CT-ND - Řezaná páska (CT) 31-DMTH45M5LPDWQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Diodes Incorporated
Číslo produktu výrobce	DMTH45M5LPDWQ-13
Popis	MOSFET 2N-CH 40V 79A PWRDI50
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 40V 79A (Tc) 3W (Ta), 60W (Tc) Montáž na povrch PowerDI5060-8 (typ UXD)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Diodes Incorporated
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	79A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	5,5mOhm při 25A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	13,9nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	978pF při 20V
Výkon - max	3W (Ta), 60W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-PowerTDFN
Dodávaná velikost pouzdra	PowerDI5060-8 (typ UXD)
Základní číslo produktu	DMTH45M