SQ2361AEES-T1_BE3 Vishay Siliconix | Diskrétní polovodičové produkty

SQ2361AEES-T1_BE3 je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

MFR Recommended

Vishay Siliconix

Skladem : 0

Jednotková cena : 14,10000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SQ2361AEES-T1_BE3
Číslo produktu DigiKey	742-SQ2361AEES-T1_BE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SQ2361AEES-T1_BE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SQ2361AEES-T1_BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQ2361AEES-T1_BE3
Popis	MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 60 V 2,8A (Tc) 2W (Tc) Montáž na povrch SOT-23-3 (TO-236)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	2,8A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	170mOhm při 2,4A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	620 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	SOT-23-3 (TO-236)
Pouzdro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo produktu	SQ2361