Name: SISA88DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISA88DN-T1-GE3TR-ND
Price: 20.1223 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SISA88DN-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SISA88DN-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SISA88DN-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SISA88DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SISA88DN-T1-GE3
Popis	MOSFET N-CH 30V 16.2A/40.5A PPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	19 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 16,2A (Ta), 40,5A (Tc) 3,2W (Ta), 19,8W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET® Gen IV
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	16,2A (Ta), 40,5A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	6,7mOhm při 10A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	25.5 nC @ 10 V
Vgs (max)	+20V, -16V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	985 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,2W (Ta), 19,8W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® 1212-8
Pouzdro	PowerPAK® 1212-8
Základní číslo produktu	SISA88

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 15 948

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)