Name: SIRA20DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRA20DP-T1-RE3TR-ND
Price: 44.3586 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIRA20DP-T1-RE3
Číslo produktu DigiKey	SIRA20DP-T1-RE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIRA20DP-T1-RE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIRA20DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIRA20DP-T1-RE3
Popis	MOSFET N-CH 25V 81.7A/100A PPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 25 V 81,7A (Ta), 100A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIRA20DP-T1-RE3 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	25 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	81,7A (Ta), 100A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	0,58mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,1V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	200 nC @ 10 V
Vgs (max)	+16V, -12V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	10850 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	6,25W (Ta), 104W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8
Pouzdro	PowerPAK® SO-8
Základní číslo produktu	SIRA20