Name: SIR664DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR664DP-T1-GE3TR-ND
Price: 42.7856 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIR664DP-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIR664DP-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SIR664DP-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SIR664DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIR664DP-T1-GE3
Popis	MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Standardní dodací lhůta výrobce	33 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 60A (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIR664DP-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	60A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	6mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	40 nC @ 10 V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1750 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8
Pouzdro	PowerPAK® SO-8
Základní číslo produktu	SIR664