SIHW21N80AE-GE3 není skladem a lze jej zařadit do zpětné objednávky.
Dostupné náhrady:

Parametrický ekvivalent


Vishay Siliconix
Skladem : 460
Jednotková cena : 117,27000 Kč
Katalogový list
SIHW70N60EF-GE3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIHW21N80AE-GE3

Číslo produktu DigiKey
SIHW21N80AE-GE3-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
SIHW21N80AE-GE3
Popis
MOSFET N-CH 800V 17.4A TO247AD
Standardní dodací lhůta výrobce
20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 800 V 17,4A (Tc) 32W (Tc) Průchozí otvor TO-247AD
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
800 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
235mOhm při 11A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1388 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
32W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-247AD
Pouzdro
Základní číslo produktu
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

0 Skladem
Zkontrolovat dodací lhůtu
Požádat o sdělení stavu zásob
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
1117,27000 Kč117,27 Kč
3073,99500 Kč2 219,85 Kč
12062,46567 Kč7 495,88 Kč
51048,98276 Kč24 981,21 Kč
1 02044,73242 Kč45 627,07 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:117,27000 Kč
Jednotková cena s DPH:141,89670 Kč