Name: SIHG21N80AE-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHG21N80AE-GE3-ND
Price: 141.8967 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIHG21N80AE-GE3
Číslo produktu DigiKey	SIHG21N80AE-GE3-ND
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIHG21N80AE-GE3
Popis	MOSFET N-CH 800V 17.4A TO247AC
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 800 V 17,4A (Tc) 32W (Tc) Průchozí otvor TO-247AC
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	E
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	800 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	17,4A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	235mOhm při 11A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	72 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1388 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	32W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-247AC
Pouzdro	TO-247-3
Základní číslo produktu	SIHG21

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Skladem: 460

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Trubice

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	117,27000 Kč	117,27 Kč
25	67,98920 Kč	1 699,73 Kč
100	56,21390 Kč	5 621,39 Kč
500	46,79084 Kč	23 395,42 Kč
1 000	44,73243 Kč	44 732,43 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.