Name: SIDR104AEP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIDR104AEP-T1-RE3TR-ND
Price: 84.1797 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIDR104AEP-T1-RE3
Číslo produktu DigiKey	742-SIDR104AEP-T1-RE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SIDR104AEP-T1-RE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SIDR104AEP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIDR104AEP-T1-RE3
Popis	N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 21,1A (Ta), 90,5A (Tc) 6,5W (Ta), 120W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8DC
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET® Gen IV
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	21,1A (Ta), 90,5A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	7,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	6,1mOhm při 15A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	70 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3250 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	6,5W (Ta), 120W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8DC
Pouzdro	PowerPAK® SO-8