Name: SI7972DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI7972DP-T1-GE3TR-ND
Price: 32.5127 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI7972DP-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	742-SI7972DP-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SI7972DP-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SI7972DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI7972DP-T1-GE3
Popis	MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8
Standardní dodací lhůta výrobce	28 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 60V 8A (Tc) 22W Montáž na povrch PowerPAK® SO-8 duální
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SI7972DP-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	8A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs	18mOhm při 11A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,7V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	11nC při 4,5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1050pF při 30V
Výkon - max	22W
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	PowerPAK® SO-8 duální
Dodávaná velikost pouzdra	PowerPAK® SO-8 duální
Základní číslo produktu	SI7972