Name: SSM3J66MFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM3J66MFV,L3FTR-ND
Price: 8.3127 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SSM3J66MFV,L3F
Číslo produktu DigiKey	264-SSM3J66MFV,L3FTR-ND - Páska a cívka (TR) 264-SSM3J66MFV,L3FCT-ND - Řezaná páska (CT) 264-SSM3J66MFV,L3FDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	SSM3J66MFV,L3F
Popis	MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 20 V 800mA (Ta) 150mW (Ta) Montáž na povrch VESM
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SSM3J66MFV,L3F Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	U-MOSVI
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	800mA (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	1,2V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	390mOhm při 800mA, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	1.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	+6V, -8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	100 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	150mW (Ta)
Provozní teplota	150°C
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	VESM
Pouzdro	SOT-723
Základní číslo produktu	SSM3J66