Name: STB9NK80Z
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-13936-2-ND
Price: 70.8213 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

STB9NK80Z
Číslo produktu DigiKey	497-13936-2-ND - Páska a cívka (TR) 497-13936-1-ND - Řezaná páska (CT) 497-13936-6-ND - Digi-Reel®
Výrobce	STMicroelectronics
Číslo produktu výrobce	STB9NK80Z
Popis	MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
Standardní dodací lhůta výrobce	13 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 800 V 5,2A (Tc) 125W (Tc) Montáž na povrch D2PAK
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	STB9NK80Z Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	STMicroelectronics
Řada	SuperMESH™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	800 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	5,2A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,8Ohm při 2,6A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4,5V při 100µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1138 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	125W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	D2PAK
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	STB9