TO-247-4
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SCTWA60N120G2-4

Číslo produktu DigiKey
497-SCTWA60N120G2-4-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
SCTWA60N120G2-4
Popis
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 1200 V 60A (Tc) 388W (Tc) Průchozí otvor TO-247-4
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
SCTWA60N120G2-4 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
-
Balení
Trubice
Stav součásti
Datum posledního nákupu
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
18V
Rds zap (max) při Id, Vgs
52mOhm při 30A, 18V
Vgs(th) (max) při Id
5V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
94 nC @ 18 V
Vgs (max)
+22V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1969 pF @ 800 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
388W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 200°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-247-4
Pouzdro
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 229
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Datum posledního nákupu: 15.02.2026
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
1371,95000 Kč371,95 Kč
10295,71000 Kč2 957,10 Kč
30273,41833 Kč8 202,55 Kč
120253,51217 Kč30 421,46 Kč
270244,99548 Kč66 148,78 Kč
510239,54900 Kč122 169,99 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:371,95000 Kč
Jednotková cena s DPH:450,05950 Kč