
SCTWA60N120G2-4 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 497-SCTWA60N120G2-4-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SCTWA60N120G2-4 |
Popis | SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 1200 V 60A (Tc) 388W (Tc) Průchozí otvor TO-247-4 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SCTWA60N120G2-4 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | - | |
Balení | Trubice | |
Stav součásti | Datum posledního nákupu | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 1200 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 18V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 52mOhm při 30A, 18V | |
Vgs(th) (max) při Id | 5V při 1mA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 94 nC @ 18 V | |
Vgs (max) | +22V, -10V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 1969 pF @ 800 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 388W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Průchozí otvor | |
Dodávaná velikost pouzdra | TO-247-4 | |
Pouzdro |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 368,07000 Kč | 368,07 Kč |
| 10 | 292,62000 Kč | 2 926,20 Kč |
| 30 | 270,56100 Kč | 8 116,83 Kč |
| 120 | 250,86267 Kč | 30 103,52 Kč |
| 270 | 242,43496 Kč | 65 457,44 Kč |
| 510 | 237,04539 Kč | 120 893,15 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 368,07000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 445,36470 Kč |

