
SCTWA60N120G2-4 | |
---|---|
Číslo produktu DigiKey | 497-SCTWA60N120G2-4-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SCTWA60N120G2-4 |
Popis | SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 32 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 1200 V 60A (Tc) 388W (Tc) Průchozí otvor TO-247-4 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SCTWA60N120G2-4 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | - | |
Balení | Trubice | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 1200 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 18V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 52mOhm při 30A, 18V | |
Vgs(th) (max) při Id | 5V při 1mA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 94 nC @ 18 V | |
Vgs (max) | +22V, -10V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 1969 pF @ 800 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 388W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Průchozí otvor | |
Dodávaná velikost pouzdra | TO-247-4 | |
Pouzdro |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
1 | 396,47000 Kč | 396,47 Kč |
10 | 315,47400 Kč | 3 154,74 Kč |
30 | 291,77700 Kč | 8 753,31 Kč |
120 | 270,63892 Kč | 32 476,67 Kč |
270 | 261,59433 Kč | 70 630,47 Kč |
510 | 255,80955 Kč | 130 462,87 Kč |
Jednotková cena bez DPH: | 396,47000 Kč |
---|---|
Jednotková cena s DPH: | 479,72870 Kč |