Similar
Similar
Similar
Similar

SCTW35N65G2V | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 497-SCTW35N65G2V-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SCTW35N65G2V |
Popis | SICFET N-CH 650V 45A HIP247 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 45A (Tc) 240W (Tc) Průchozí otvor HiP247™ |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SCTW35N65G2V Modely |
Kategorie | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 73 nC @ 20 V |
Mfr | Vgs (max) +22V, -10V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1370 pF @ 400 V |
Stav součásti Zastaralé | Rozptylový výkon (Max) 240W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 200°C (TJ) |
Technologie | Třída Automobilový průmysl |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V | Kvalifikace AEC-Q101 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Způsob montáže Průchozí otvor |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 18V, 20V | Dodávaná velikost pouzdra HiP247™ |
Rds zap (max) při Id, Vgs 67mOhm při 20A, 20V | Pouzdro |
Vgs(th) (max) při Id 5V při 1mA | Základní číslo produktu |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| MSC060SMA070B | Microchip Technology | 318 | MSC060SMA070B-ND | 116,37000 Kč | Similar |
| TSM60NE048PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 300 | 1801-TSM60NE048PWC0G-ND | 323,89000 Kč | Similar |
| TSM60NE069PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 295 | 1801-TSM60NE069PWC0G-ND | 255,69000 Kč | Similar |
| TSM60NE084PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 265 | 1801-TSM60NE084PWC0G-ND | 225,45000 Kč | Similar |





