Similar
Similar
Similar

SCTW100N65G2AG | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 497-SCTW100N65G2AG-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SCTW100N65G2AG |
Popis | SICFET N-CH 650V 100A HIP247 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 100A (Tc) 420W (Tc) Průchozí otvor HiP247™ |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SCTW100N65G2AG Modely |
Kategorie | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 162 nC @ 18 V |
Mfr | Vgs (max) +22V, -10V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 3315 pF @ 520 V |
Stav součásti Aktivní | Rozptylový výkon (Max) 420W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 200°C (TJ) |
Technologie | Třída Automobilový průmysl |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V | Kvalifikace AEC-Q101 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Způsob montáže Průchozí otvor |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 18V | Dodávaná velikost pouzdra HiP247™ |
Rds zap (max) při Id, Vgs 26mOhm při 50A, 18V | Pouzdro |
Vgs(th) (max) při Id 5V při 5mA | Základní číslo produktu |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| MSC015SMA070B | Microchip Technology | 191 | 691-MSC015SMA070B-ND | 372,90000 Kč | Similar |
| SCT3022ALGC11 | Rohm Semiconductor | 1 150 | SCT3022ALGC11-ND | 1 105,34000 Kč | Similar |
| TSM60NE048PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 300 | 1801-TSM60NE048PWC0G-ND | 323,89000 Kč | Similar |




