
SCTW100N65G2AG | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 497-SCTW100N65G2AG-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SCTW100N65G2AG |
Popis | SICFET N-CH 650V 100A HIP247 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 100A (Tc) 420W (Tc) Průchozí otvor HiP247™ |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SCTW100N65G2AG Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | - | |
Balení | Trubice | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 650 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 18V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 26mOhm při 50A, 18V | |
Vgs(th) (max) při Id | 5V při 5mA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 162 nC @ 18 V | |
Vgs (max) | +22V, -10V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 3315 pF @ 520 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 420W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
Třída | Automobilový průmysl | |
Kvalifikace | AEC-Q101 | |
Způsob montáže | Průchozí otvor | |
Dodávaná velikost pouzdra | HiP247™ | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 590,32000 Kč | 590,32 Kč |
| 30 | 473,64633 Kč | 14 209,39 Kč |
| 120 | 468,67500 Kč | 56 241,00 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 590,32000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 714,28720 Kč |

