Name: SCT016H120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCT016H120G3AGTR-ND
Price: 594.231 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SCT016H120G3AG
Číslo produktu DigiKey	497-SCT016H120G3AGTR-ND - Páska a cívka (TR) 497-SCT016H120G3AGCT-ND - Řezaná páska (CT) 497-SCT016H120G3AGDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	STMicroelectronics
Číslo produktu výrobce	SCT016H120G3AG
Popis	AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 112A (Tc) 652W (Tc) Montáž na povrch H2PAK-7
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	STMicroelectronics
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	112A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	15V, 18V
Rds zap (max) při Id, Vgs	22mOhm při 60A, 18V
Vgs(th) (max) při Id	4,2V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	150 nC @ 18 V
Vgs (max)	+18V, -5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3623 pF @ 800 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	652W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	H2PAK-7
Pouzdro	TO-263-8, D2PAK (7 přívody + výstupek), TO-263CA