Name: S3M0016120B
Brand: SMC Diode Solutions
SKU: 1655-S3M0016120B-ND
Price: 436.8221 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

S3M0016120B
Číslo produktu DigiKey	1655-S3M0016120B-ND
Výrobce	SMC Diode Solutions
Číslo produktu výrobce	S3M0016120B
Popis	MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
Standardní dodací lhůta výrobce	12 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 106A (Tc) 576W (Tc) Montáž na povrch TO-263-7
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	SMC Diode Solutions
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	106A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	18V
Rds zap (max) při Id, Vgs	23mOhm při 75A, 18V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 30mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	287 nC @ 18 V
Vgs (max)	+22V, -8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	5251 pF @ 1000 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	576W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-263-7
Pouzdro	TO-263-8, D2PAK (7 přívody + výstupek), TO-263CA

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 291

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Trubice

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	361,01000 Kč	361,01 Kč
35	219,89429 Kč	7 696,30 Kč
105	196,19800 Kč	20 600,79 Kč
525	195,26783 Kč	102 515,61 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.