Nastavení
Rychlé dodání
Dodávka zdarma
Incoterms
Typy plateb
Produkt služby Marketplace
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
S2M0160120J | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 1655-S2M0160120J-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | S2M0160120J |
Popis | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V |
Standardní dodací lhůta výrobce | 12 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 1200 V 16A (Tc) 122W (Tc) Montáž na povrch TO-263-7 |
Katalogový list | Katalogový list |
Vlastnosti produktu
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | - | |
Balení | Trubice | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 1200 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 20V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 196mOhm při 10A, 20V | |
Vgs(th) (max) při Id | 4V při 2,5mA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 26.5 nC @ 20 V | |
Vgs (max) | +20V, -5V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 513 pF @ 1000 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 122W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | TO-263-7 | |
Pouzdro |
Skladem: 296
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 132,27000 Kč | 132,27 Kč |
| 10 | 88,92300 Kč | 889,23 Kč |
| 100 | 64,30640 Kč | 6 430,64 Kč |
| 500 | 53,81638 Kč | 26 908,19 Kč |
| 1 000 | 52,58013 Kč | 52 580,13 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 132,27000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 160,04670 Kč |
Může vás též zajímatZobrazit vše
9 Položky
Česká republika