
S2M0080120K | |
---|---|
Číslo produktu DigiKey | 1655-S2M0080120K-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | S2M0080120K |
Popis | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V |
Standardní dodací lhůta výrobce | 12 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 1200 V 41A (Tc) 231W (Tc) Průchozí otvor TO-247-4 |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | - | |
Balení | Trubice | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 1200 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 20V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 100mOhm při 20A, 20V | |
Vgs(th) (max) při Id | 4V při 10mA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 54 nC @ 20 V | |
Vgs (max) | +25V, -10V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 1324 pF @ 1000 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 231W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Průchozí otvor | |
Dodávaná velikost pouzdra | TO-247-4 | |
Pouzdro |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
1 | 164,56000 Kč | 164,56 Kč |
30 | 95,46400 Kč | 2 863,92 Kč |
120 | 80,27358 Kč | 9 632,83 Kč |
510 | 70,24653 Kč | 35 825,73 Kč |
Jednotková cena bez DPH: | 164,56000 Kč |
---|---|
Jednotková cena s DPH: | 199,11760 Kč |