RGT8NS65DGC9
cms-photo-disclaimer

RGT30NS65DGC9

cms-digikey-product-number
RGT30NS65DGC9-ND
cms-manufacturer
Rohm Semiconductor
cms-manufacturer-product-number
RGT30NS65DGC9
cms-description
IGBT TRENCH FS 650V 30A TO-262
cms-standard-lead-time
22 týdnů
cms-customer-reference
cms-detailed-description
IGBT Trench Zarážka signálu 650 V 30 A 133 W Průchozí otvor TO-262
cms-datasheet
 cms-datasheet
cms-product-attributes
cms-type
cms-description
cms-select-all
cms-category
Výrobce
Rohm Semiconductor
Řada
-
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru IGBT
Trench Zarážka signálu
Průrazné napětí kolektor - emitor (max)
650 V
Proud kolektoru (Ic) (max)
30 A
Pulzní proud kolektoru (Icm)
45 A
Vce(zap) (max) při Vge, Ic
2,1V při 15V, 15A
Výkon - max
133 W
Spínací energie
-
Typ vstupu
Standardní
Náboj hradla
32 nC
Td (zap/vyp) při 25°C
18ns/64ns
Zkušební podmínka
400V, 15A, 10Ohm, 15V
Doba zpětného zotavení (trr)
55 ns
Provozní teplota
-40°C ~ 175°C (TJ)
Způsob montáže
Průchozí otvor
Pouzdro
Dlouhé přívody TO-262-3, I2PAK, TO-262AA
Dodávaná velikost pouzdra
TO-262
Základní číslo produktu
RGT30
cms-product-q-and-a

cms-techforum-default-desc

Skladem: 2 894
cms-incoming-leadtime-link
cms-quantity
cms-all-prices-in-currency
Trubice
cms-quantitycms-unit-pricecms-ext-price
168,32000 Kč68,32 Kč
5034,64860 Kč1 732,43 Kč
10031,39290 Kč3 139,29 Kč
50026,84488 Kč13 422,44 Kč
cms-manufacturer-standard-package
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:68,32000 Kč
Jednotková cena s DPH:82,66720 Kč