Name: QS8M31TR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: QS8M31TR-ND
Price: 31.0728 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

QS8M31TR
Číslo produktu DigiKey	QS8M31TR-ND - Páska a cívka (TR) QS8M31CT-ND - Řezaná páska (CT) QS8M31DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	QS8M31TR
Popis	MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 60V 3A (Ta), 2A (Ta) 1,1W (Ta) Montáž na povrch TSMT8
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	N a P-kanál
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	3A (Ta), 2A (Ta)
Rds zap (max) při Id, Vgs	112mOhm při 3A, 10V, 210mOhm při 2A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 1mA, 3V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	4nC při 5V, 7,2nC při 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	270pF při 10V, 750pF při 10V
Výkon - max	1,1W (Ta)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-SMD, Ploché vodiče
Dodávaná velikost pouzdra	TSMT8
Základní číslo produktu	QS8M31