Name: QH8KE6TCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-QH8KE6TCRTR-ND
Price: 36.542 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

QH8KE6TCR
Číslo produktu DigiKey	846-QH8KE6TCRTR-ND - Páska a cívka (TR) 846-QH8KE6TCRCT-ND - Řezaná páska (CT) 846-QH8KE6TCRDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Rohm Semiconductor
Číslo produktu výrobce	QH8KE6TCR
Popis	MOSFET 2N-CH 100V 4A TSMT8
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 100V 4A (Ta) 1,1W (Ta) Montáž na povrch TSMT8
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Rohm Semiconductor
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 N-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	4A (Ta)
Rds zap (max) při Id, Vgs	56mOhm při 4A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	6,7nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	305pF při 50V
Výkon - max	1,1W (Ta)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-SMD, Ploché vodiče
Dodávaná velikost pouzdra	TSMT8