
NVXK2PR80WXT2 | |
---|---|
Číslo produktu DigiKey | 5556-NVXK2PR80WXT2-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | NVXK2PR80WXT2 |
Popis | MOSFET 4N-CH 1200V 31A APM32 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 15 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 31A (Tc) 208W (Tc) Průchozí otvor APM32 |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | onsemi | |
Řada | - | |
Balení | Trubice | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | Karbid křemíku (SiC) | |
Konfigurace | 4 N-kanál (polomůstek) | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 1200V (1,2kV) | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 31A (Tc) | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 116mOhm při 20A, 20V | |
Vgs(th) (max) při Id | 4,3V při 5mA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 56nC při 20V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 1154pF při 800V | |
Výkon - max | 208W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Třída | Automobilový průmysl | |
Kvalifikace | AEC-Q101 | |
Způsob montáže | Průchozí otvor | |
Pouzdro | Modul 32-PowerDIP (1,449", 36,80mm) | |
Dodávaná velikost pouzdra | APM32 |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
1 | 1 066,08000 Kč | 1 066,08 Kč |
10 | 807,16300 Kč | 8 071,63 Kč |
100 | 764,38600 Kč | 76 438,60 Kč |
Jednotková cena bez DPH: | 1 066,08000 Kč |
---|---|
Jednotková cena s DPH: | 1 289,95680 Kč |