Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 31A (Tc) 208W (Tc) Průchozí otvor APM32
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NVXK2PR80WXT2

Číslo produktu DigiKey
5556-NVXK2PR80WXT2-ND
Výrobce
onsemi
Číslo produktu výrobce
NVXK2PR80WXT2
Popis
MOSFET 4N-CH 1200V 31A APM32
Standardní dodací lhůta výrobce
15 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Pole MOSFET 1200V (1,2kV) 31A (Tc) 208W (Tc) Průchozí otvor APM32
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Výrobce
onsemi
Řada
-
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Technologie
Karbid křemíku (SiC)
Konfigurace
4 N-kanál (polomůstek)
Funkce tranzistoru FET
-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200V (1,2kV)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
31A (Tc)
Rds zap (max) při Id, Vgs
116mOhm při 20A, 20V
Vgs(th) (max) při Id
4,3V při 5mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
56nC při 20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1154pF při 800V
Výkon - max
208W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
Automobilový průmysl
Kvalifikace
AEC-Q101
Způsob montáže
Průchozí otvor
Pouzdro
Modul 32-PowerDIP (1,449", 36,80mm)
Dodávaná velikost pouzdra
APM32
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 33
Skladové zásoby výrobce: 120
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
11 074,68000 Kč1 074,68 Kč
10813,67300 Kč8 136,73 Kč
100770,55100 Kč77 055,10 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:1 074,68000 Kč
Jednotková cena s DPH:1 300,36280 Kč
Může vás též zajímat
1 Položky
FAM65CR51ADZ2

FAM65CR51ADZ2

MOSFET IPM 650V 41A 12-SSIP

onsemi

753,62000 Kč